上升趋势:半导体元件小型化
随着半导体几何尺寸的不断缩小,微电子技术的进步正在推动强大、智能和精密设备的发展。这种持续的小型化趋势推动了半导体创新,使晶圆上复杂的图案能够缩小,这对于生产先进的半导体器件至关重要。

先进的芯片制造技术:突破摩尔定律的极限
制造技术的进步,特别是极紫外(EUV)和深紫外(DUV)光刻技术,正在彻底改变半导体制造工艺,使半导体元件日益小型化和高效化,晶体管密度、性能和能效显著提高。
极紫外 (EUV) 光刻是一种尖端的半导体制造技术,采用 13.5 nm 的极短波长,比其他先进的光刻技术深紫外 (DUV) 光刻波长为 193 nm 小 14 倍。这种短波长可以在极小的节点(如7nm和5nm)上生产微芯片电路和晶体管,从而在半导体制造中实现前所未有的精度和分辨率水平。
短波长可在给定的芯片尺寸下实现更多晶体管
通过推动小型化和性能可能性的极限,这些先进技术突破了摩尔定律的界限。摩尔定律在1965中预测,集成电路(IC)中的晶体管数量将每两年翻一番,直到该技术达到其小型化和性能极限。

博伊德和创新冷却技术
Boyd在半导体冷却解决方案的创新和制造方面拥有数十年的经验和专业知识。我们以客户为先的服务,具有市场领先的速度和响应能力,结合数十年的半导体设计专业知识和强大的专有建模工具,使我们能够快速迭代设计并加快上市速度。
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