上升趋势：半导体元件小型化
随着半导体几何尺寸的不断缩小，微电子技术的进步正在推动强大、智能和精密设备的发展。这种持续的小型化趋势推动了半导体创新，使晶圆上复杂的图案能够缩小，这对于生产先进的半导体器件至关重要。
先进的芯片制造技术：突破摩尔定律的极限
制造技术的进步，特别是极紫外（EUV）和深紫外（DUV）光刻技术，正在彻底改变半导体制造工艺，使半导体元件日益小型化和高效化，晶体管密度、性能和能效显著提高。
极紫外 （EUV） 光刻是一种尖端 的半导体制造 技术，采用 13.5 nm 的极短波长，比另一种波长为 193 nm 的先进光刻技术深紫外 （DUV） 光刻小 14 倍。如此短的波长使微芯片电路和晶体管能够在极小的节点（如 7nm 和 5nm）上生产，从而在半导体制造中实现前所未有的精度和分辨率水平。
短波长可在给定的芯片尺寸下实现更多晶体管
通过推动小型化和性能可能性的极限，这些先进技术突破了摩尔定律的界限。摩尔定律在1965中预测，集成电路（IC）中的晶体管数量将每两年翻一番，直到该技术达到其小型化和性能极限。
不断增加的散热挑战：需要创新的冷却解决方案
极紫外 （EUV） 和深紫外 （DUV） 光刻技术的采用导致了更高的功率密度，从而在电子元件中产生更多的热量。热管理是半导体创新的障碍。更强大、更节能的性能需要先进的冷却创新。
博伊德和创新冷却技术
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